BSM300C12P3E301

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1200 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	300A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	-
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	5.6V @ 80mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	-
वीजीएस (अधिकतम)	+22V, -4V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	1500 pF @ 10 V
फ़ीचर फ़ीचर	Standard
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	1360W (Tc)
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	-
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	Module
पैकेज / मामला	Module

विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 3

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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लोकप्रिय मॉडल

	BSM300C12P3E301 ROHM Semiconductor
	BSM300C12P3E201 ROHM Semiconductor

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