RQJ0305EQDQS#H1

निर्माता भाग संख्या:	RQJ0305EQDQS#H1
उत्पादक:	Renesas Electronics America
विवरण का हिस्सा:	MOSFET P-CH 30V 3.4A UPAK
डाटा शीट:	RQJ0305EQDQS#H1 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	P-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	3.4A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	2.5V, 4.5V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	140mOhm @ 1.7A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1.4V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	3 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम)	+8V, -12V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	330 pF @ 10 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	1.5W (Ta)
परिचालन तापमान	150°C
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	UPAK
पैकेज / मामला	TO-243AA

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