NP89N04PDK-E1-AY

निर्माता भाग संख्या:	NP89N04PDK-E1-AY
उत्पादक:	Renesas Electronics America
विवरण का हिस्सा:	MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
डाटा शीट:	NP89N04PDK-E1-AY डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	40 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	90A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	2.95mOhm @ 45A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	102 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	5850 pF @ 25 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	1.8W (Ta), 147W (Tc)
परिचालन तापमान	175°C
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TO-263-3
पैकेज / मामला	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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