TPCP8003-H(TE85L,F

निर्माता भाग संख्या:	TPCP8003-H(TE85L,F
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा:	MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8
डाटा शीट:	TPCP8003-H(TE85L,F डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	U-MOSIII-H
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N-Channel
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	100 V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	2.2A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस पर, न्यूनतम आरडीएस पर)	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	180mOhm @ 1.1A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.3V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	7.5 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	360 pF @ 10 V
फ़ीचर फ़ीचर	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम)	840mW (Ta)
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PS-8 (2.9x2.4)
पैकेज / मामला	8-SMD, Flat Lead

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