Q817B

निर्माता भाग संख्या:	Q817B
उत्पादक:	QT Brightek
विवरण का हिस्सा:	DIP 4PIN DC INPUT PHOTOTRANSISTO
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	Q817
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
चैनल की संख्या	1
वोल्टेज - अलगाव	5000Vrms
वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम)	130% @ 5mA
वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम)	260% @ 5mA
चालू / बंद समय (टाइप) चालू करें	-
उदय / पतन समय (टाइप)	6µs, 8µs
निवेष का प्रकार	DC
उत्पादन का प्रकार	Transistor
वोल्टेज - आउटपुट (अधिकतम)	35V
वर्तमान - आउटपुट / चैनल	50mA
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (टाइप)	1.24V
वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम)	60 mA
Vce संतृप्ति (अधिकतम)	200mV
परिचालन तापमान	-55°C ~ 110°C
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	4-DIP (0.300", 7.62mm)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	4-DIP

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न्यूनतम: 1

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