4N35M-V

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
चैनल की संख्या	1
वोल्टेज - अलगाव	5000Vrms
वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम)	100% @ 10mA
वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम)	-
चालू / बंद समय (टाइप) चालू करें	10µs, 9µs
उदय / पतन समय (टाइप)	-
निवेष का प्रकार	DC
उत्पादन का प्रकार	Transistor with Base
वोल्टेज - आउटपुट (अधिकतम)	80V
वर्तमान - आउटपुट / चैनल	-
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (टाइप)	1.2V
वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम)	60 mA
Vce संतृप्ति (अधिकतम)	300mV
परिचालन तापमान	-55°C ~ 110°C
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	6-DIP (0.400", 10.16mm)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	6-DIP

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लोकप्रिय मॉडल

	4N35S Lite-On, Inc.
	4N35-W60E Broadcom
	4N35-X019T Vishay / Semiconductor - Opto Division
	4N35M-V Everlight Electronics
	4N35TM Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	4N35-060E Broadcom
	4N35-X006 Vishay / Semiconductor - Opto Division
	4N35S(TB) Everlight Electronics
	4N35-X007T Vishay / Semiconductor - Opto Division
	4N35M Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

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