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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / 4N32(SHORT,F)

4N32(SHORT,F)

निर्माता भाग संख्या: 4N32(SHORT,F)
उत्पादक: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा: OPTOISO 2.5KV DARL W/BASE 6DIP
डाटा शीट: 4N32(SHORT,F) डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
एक्टिव-सेमी 4N32(SHORT,F) chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।
सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखला-
पैकेजTube
भाग की स्थितिObsolete
चैनल की संख्या1
वोल्टेज - अलगाव2500Vrms
वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम)500% @ 10mA
वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम)-
चालू / बंद समय (टाइप) चालू करें5µs, 100µs (Max)
उदय / पतन समय (टाइप)-
निवेष का प्रकारDC
उत्पादन का प्रकारDarlington with Base
वोल्टेज - आउटपुट (अधिकतम)30V
वर्तमान - आउटपुट / चैनल100mA
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (टाइप)1.15V
वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम)80 mA
Vce संतृप्ति (अधिकतम)1V
परिचालन तापमान-55°C ~ 100°C
माउन्टिंग का प्रकारThrough Hole
पैकेज / मामला6-DIP (0.300", 7.62mm)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज6-DIP
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