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Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) / TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

निर्माता भाग संख्या: TH58BYG2S3HBAI6
उत्पादक: Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
विवरण का हिस्सा: IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखलाBenand™
पैकेजTray
भाग की स्थितिActive
मेमोरी प्रकारNon-Volatile
मेमोरी प्रारूपFLASH
प्रौद्योगिकीFLASH - NAND (SLC)
मेमोरी क्षमता4Gb (512M x 8)
मेमोरी इंटरफ़ेसParallel
घड़ी की आवृत्ति-
साइकिल समय लिखें - शब्द, पृष्ठ25ns
पहूंच समय25 ns
वोल्टेज आपूर्ति1.7V ~ 1.95V
परिचालन तापमान-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकारSurface Mount
पैकेज / मामला67-VFBGA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज67-VFBGA (6.5x8)
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स्टॉक की अवस्था: 338

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

3-5 दिनों में पहुंचें

एक्सप्रेस: ​​(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

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