IDT70P3337S250RM

निर्माता भाग संख्या:	IDT70P3337S250RM
उत्पादक:	Renesas Electronics America
विवरण का हिस्सा:	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA
डाटा शीट:	IDT70P3337S250RM डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tray
भाग की स्थिति	Obsolete
मेमोरी प्रकार	Volatile
मेमोरी प्रारूप	SRAM
प्रौद्योगिकी	SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
मेमोरी क्षमता	9Mb (512K x 18)
मेमोरी इंटरफ़ेस	Parallel
घड़ी की आवृत्ति	250 MHz
साइकिल समय लिखें - शब्द, पृष्ठ	-
पहूंच समय	6.3 ns
वोल्टेज आपूर्ति	1.7V ~ 1.9V
परिचालन तापमान	0°C ~ 70°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	576-BBGA, FCBGA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	576-FCBGA (25x25)

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