IR2133PBF

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
विन्यास को प्रेरित किया	Half-Bridge
चैनल प्रकार	3-Phase
ड्राइवरों की संख्या	6
गेट प्रकार	IGBT, N-Channel MOSFET
वोल्टेज आपूर्ति	10V ~ 20V
तर्क वोल्टेज - VIL, VIH	0.8V, 2.2V
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक)	250mA, 500mA
निवेष का प्रकार	Inverting
उच्च पक्ष वोल्टेज - अधिकतम (बूटस्ट्रैप)	600 V
उदय / पतन समय (टाइप)	90ns, 40ns
परिचालन तापमान	125°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	28-DIP (0.600", 15.24mm)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	28-PDIP

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न्यूनतम: 1

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