ISL6610CBZ

निर्माता भाग संख्या:	ISL6610CBZ
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
विन्यास को प्रेरित किया	Half-Bridge
चैनल प्रकार	Synchronous
ड्राइवरों की संख्या	4
गेट प्रकार	N-Channel MOSFET
वोल्टेज आपूर्ति	4.5V ~ 5.5V
तर्क वोल्टेज - VIL, VIH	-
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक)	-, 4A
निवेष का प्रकार	Non-Inverting
उच्च पक्ष वोल्टेज - अधिकतम (बूटस्ट्रैप)	36 V
उदय / पतन समय (टाइप)	8ns, 8ns
परिचालन तापमान	0°C ~ 125°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	14-SOIC

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