MC33151VDR2G

निर्माता भाग संख्या:	MC33151VDR2G
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI
डाटा शीट:	MC33151VDR2G डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
विन्यास को प्रेरित किया	Low-Side
चैनल प्रकार	Independent
ड्राइवरों की संख्या	2
गेट प्रकार	N-Channel MOSFET
वोल्टेज आपूर्ति	6.5V ~ 18V
तर्क वोल्टेज - VIL, VIH	0.8V, 2.6V
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक)	1.5A, 1.5A
निवेष का प्रकार	Inverting
उच्च पक्ष वोल्टेज - अधिकतम (बूटस्ट्रैप)	-
उदय / पतन समय (टाइप)	31ns, 32ns
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-SOIC

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