IGD515EI

निर्माता भाग संख्या:	IGD515EI
उत्पादक:	Power Integrations
विवरण का हिस्सा:	IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
डाटा शीट:	IGD515EI डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	SCALE™-1
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Not For New Designs
विन्यास को प्रेरित किया	High-Side or Low-Side
चैनल प्रकार	Single
ड्राइवरों की संख्या	1
गेट प्रकार	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
वोल्टेज आपूर्ति	12V ~ 16V
तर्क वोल्टेज - VIL, VIH	0.9V, 3.8V
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक)	15A, 15A
निवेष का प्रकार	-
उच्च पक्ष वोल्टेज - अधिकतम (बूटस्ट्रैप)	-
उदय / पतन समय (टाइप)	40ns, 40ns
परिचालन तापमान	-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	Module
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	Module

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लोकप्रिय मॉडल

	IGD515EI Power Integrations
	IGD515EI-34 Power Integrations

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