HIP2100IRZT

निर्माता भाग संख्या:	HIP2100IRZT
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,
डाटा शीट:	HIP2100IRZT डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
विन्यास को प्रेरित किया	Half-Bridge
चैनल प्रकार	Independent
ड्राइवरों की संख्या	2
गेट प्रकार	N-Channel MOSFET
वोल्टेज आपूर्ति	9V ~ 14V
तर्क वोल्टेज - VIL, VIH	4V, 7V
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक)	2A, 2A
निवेष का प्रकार	Non-Inverting
उच्च पक्ष वोल्टेज - अधिकतम (बूटस्ट्रैप)	114 V
उदय / पतन समय (टाइप)	10ns, 10ns
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	16-VQFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	16-QFN-EP (5x5)

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