Intersil (Renesas Electronics America) / HIP6603BECB-T
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HIP6603BECB-T
| निर्माता भाग संख्या: | HIP6603BECB-T |
| उत्पादक: | Intersil (Renesas Electronics America) |
| विवरण का हिस्सा: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| डाटा शीट: | HIP6603BECB-T डाटा शीट |
| लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: | लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी |
| स्टॉक की स्थिति: | स्टॉक में |
| भेजने का स्थान: | Hong Kong |
| शिपमेंट रास्ता: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- टिप्पणी
- एक्टिव-सेमी HIP6603BECB-T chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।
सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।
विनिर्देश
| प्रकार | विवरण |
|---|---|
| श्रृंखला | - |
| पैकेज | Tape & Reel (TR) |
| भाग की स्थिति | Obsolete |
| विन्यास को प्रेरित किया | Half-Bridge |
| चैनल प्रकार | Synchronous |
| ड्राइवरों की संख्या | 2 |
| गेट प्रकार | N-Channel MOSFET |
| वोल्टेज आपूर्ति | 10.8V ~ 13.2V |
| तर्क वोल्टेज - VIL, VIH | - |
| वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक) | - |
| निवेष का प्रकार | Non-Inverting |
| उच्च पक्ष वोल्टेज - अधिकतम (बूटस्ट्रैप) | 15 V |
| उदय / पतन समय (टाइप) | 20ns, 20ns |
| परिचालन तापमान | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| पैकेज / मामला | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | 8-SOIC-EP |
स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग
न्यूनतम: 1
| मात्रा | यूनिट मूल्य | एक्सटेंशन कीमत |
|---|---|---|
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ |
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माल ढुलाई गणना
FedEx द्वारा यूएस $40।
3-5 दिनों में पहुंचें
एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा
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