FF100R12KS4HOSA1

टिप्पणी: एक्टिव-सेमी FF100R12KS4HOSA1 chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।

सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
IGBT प्रकार	-
विन्यास	2 Independent
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	1200 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	150 A
शक्ति - मैक्स	780 W
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	3.7V @ 15V, 100A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)	5 mA
इनपुट क्षमता (Cies) @ Vce	650 nF @ 25 V
इनपुट	Standard
एनटीसी थर्मिस्टर	No
परिचालन तापमान	-40°C ~ 125°C
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
पैकेज / मामला	Module
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	Module

विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 10

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

3-5 दिनों में पहुंचें

एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

लोकप्रिय मॉडल

	FF1000R17IE4BOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FF1000R17IE4PBOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FF100R12RT4HOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FF1000R17IE4DPB2BOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FF100R12KS4HOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FF1000R17IE4DB2BOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FF100R12MT4 Rochester Electronics
	FF1000R17IE4DB2S4BOSA2 Rochester Electronics
	FF1000R17IE4S4BOSA2 Rochester Electronics

यह आइटम आपके कार्ट में जोड़ा गया है।