FD1000R17IE4BOSA2

टिप्पणी: एक्टिव-सेमी FD1000R17IE4BOSA2 chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।

सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
IGBT प्रकार	-
विन्यास	Single
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	1.7 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	-
शक्ति - मैक्स	6.25 W
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	2.45V @ 15V, 1000A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)	5 mA
इनपुट क्षमता (Cies) @ Vce	81 nF @ 25 V
इनपुट	Standard
एनटीसी थर्मिस्टर	Yes
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
पैकेज / मामला	Module
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	Module

विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 104

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

3-5 दिनों में पहुंचें

एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

लोकप्रिय मॉडल

	FD1000R33HL3KBPSA1 Rochester Electronics
	FD1000R17IE4BOSA2 Rochester Electronics
	FD1000R33HE3KBPSA1 IR (Infineon Technologies)
	FD1000R17IE4DB2BOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FD1000R33HE3KBOSA1 IR (Infineon Technologies)

यह आइटम आपके कार्ट में जोड़ा गया है।