MG12200D-BN2MM

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
IGBT प्रकार	Trench Field Stop
विन्यास	Half Bridge
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	1200 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	290 A
शक्ति - मैक्स	1050 W
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	1.7V @ 15V, 200A (Typ)
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)	1 mA
इनपुट क्षमता (Cies) @ Vce	14 nF @ 25 V
इनपुट	Standard
एनटीसी थर्मिस्टर	No
परिचालन तापमान	-40°C ~ 125°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
पैकेज / मामला	Module
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	D3

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मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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