NXH50C120L2C2ESG

निर्माता भाग संख्या:	NXH50C120L2C2ESG
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
IGBT प्रकार	-
विन्यास	Three Phase Inverter with Brake
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	1200 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	50 A
शक्ति - मैक्स	20 mW
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी	2.4V @ 15V, 50A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)	250 µA
इनपुट क्षमता (Cies) @ Vce	11.897 nF @ 20 V
इनपुट	Three Phase Bridge Rectifier
एनटीसी थर्मिस्टर	Yes
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	26-DIP

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लोकप्रिय मॉडल

	NXH50C120L2C2ESG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NXH50C120L2C2ES1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

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