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Rochester Electronics / DF650R17IE4BOSA1

DF650R17IE4BOSA1

निर्माता भाग संख्या: DF650R17IE4BOSA1
उत्पादक: Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा: DFXR17F - IGBT MODULE
डाटा शीट: DF650R17IE4BOSA1 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
एक्टिव-सेमी DF650R17IE4BOSA1 chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।
सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखलाPrimePack™2
पैकेजBulk
भाग की स्थितिActive
IGBT प्रकार-
विन्यासSingle
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)1.7 V
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)930 A
शक्ति - मैक्स4.15 W
Vce (पर) (अधिकतम) @ Vge, आईसी2.45V @ 15V, 650A
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)5 mA
इनपुट क्षमता (Cies) @ Vce54 nF @ 25 V
इनपुटStandard
एनटीसी थर्मिस्टरYes
परिचालन तापमान-40°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकारChassis Mount
पैकेज / मामलाModule
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेजModule
विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 39

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

3-5 दिनों में पहुंचें

एक्सप्रेस: ​​(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

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