RN1118MFV,L3F

निर्माता भाग संख्या:	RN1118MFV,L3F
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा:	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
डाटा शीट:	RN1118MFV,L3F डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Active
ट्रांजिस्टर प्रकार	NPN - Pre-Biased
वर्तमान - कलेक्टर (चिह्न) (अधिकतम)	100 mA
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)	50 V
रेसिस्टर - बेस (R1)	47 kOhms
रेसिस्टर - एमिटर बेस (R2)	10 kOhms
डीसी करंट गेन (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce	50 @ 10mA, 5V
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ इब, आईसी	300mV @ 250µA, 5mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)	500nA
आवृत्ति - संक्रमण	250 MHz
शक्ति - मैक्स	150 mW
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	SOT-723
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	VESM

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