TPC8211(TE12L,Q,M)

निर्माता भाग संख्या:	TPC8211(TE12L,Q,M)
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा:	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
डाटा शीट:	TPC8211(TE12L,Q,M) डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	5.5A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	36mOhm @ 3A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	25nC @ 10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	1250pF @ 10V
शक्ति - मैक्स	450mW
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-SOP (5.5x6.0)

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