EPC2100ENGRT

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	eGaN®
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Half Bridge)
फ़ीचर फ़ीचर	GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	10A (Ta), 40A (Ta)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
शक्ति - मैक्स	-
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	Die
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	Die

विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग

न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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