FDMQ86530L

निर्माता भाग संख्या:	FDMQ86530L
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
डाटा शीट:	FDMQ86530L डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	GreenBridge™ PowerTrench®
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	4 N-Channel (H-Bridge)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	60V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	8A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	17.5mOhm @ 8A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	33nC @ 10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	2295pF @ 30V
शक्ति - मैक्स	1.9W
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	12-WDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	12-MLP (5x4.5)

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