SMA5117

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
फ़ीचर फ़ीचर	Standard
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	250V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	7A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	250mOhm @ 3.5A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	4V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	-
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	850pF @ 10V
शक्ति - मैक्स	4W
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
पैकेज / मामला	12-SIP
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	12-SIP

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