SSM6N815R,LF

निर्माता भाग संख्या:	SSM6N815R,LF
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा:	MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
डाटा शीट:	SSM6N815R,LF डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	U-MOSVIII-H
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate, 4V Drive
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	100V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	2A (Ta)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	103mOhm @ 2A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.5V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	3.1nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	290pF @ 15V
शक्ति - मैक्स	1.8W (Ta)
परिचालन तापमान	150°C
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	6-SMD, Flat Leads
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	6-TSOP-F

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