SQS966ENW-T1_GE3

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Standard
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	60V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	6A (Tc)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	36mOhm @ 1.25A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	8.8nC @ 10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	572pF @ 25V
शक्ति - मैक्स	27.8W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount, Wettable Flank
पैकेज / मामला	PowerPAK® 1212-8W Dual
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PowerPAK® 1212-8W Dual

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लोकप्रिय मॉडल

	SQS966ENW-T1_GE3 Vishay / Siliconix

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