FDG6316P

निर्माता भाग संख्या:	FDG6316P
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
डाटा शीट:	FDG6316P डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	PowerTrench®
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 P-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	12V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	700mA
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	270mOhm @ 700mA, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	146pF @ 6V
शक्ति - मैक्स	300mW
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	SC-88 (SC-70-6)

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