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Rochester Electronics / FDB12N50FTM

FDB12N50FTM

निर्माता भाग संख्या: FDB12N50FTM
उत्पादक: Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
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package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखला*
पैकेजBulk
भाग की स्थितिActive
FET प्रकार-
फ़ीचर फ़ीचर-
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली-
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस-
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी-
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs-
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds-
शक्ति - मैक्स-
परिचालन तापमान-
माउन्टिंग का प्रकार-
पैकेज / मामला-
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज-
विकल्प खरीदना

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न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

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