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Rochester Electronics / NTMFD4C88NT1G

NTMFD4C88NT1G

निर्माता भाग संख्या: NTMFD4C88NT1G
उत्पादक: Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
डाटा शीट: NTMFD4C88NT1G डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखला-
पैकेजBulk
भाग की स्थितिObsolete
FET प्रकार2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
फ़ीचर फ़ीचरStandard
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस11.7A, 14.2A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस5.4mOhm @ 10A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs22.2nC @ 10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds1252pF @ 15V
शक्ति - मैक्स1.1W
परिचालन तापमान-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकारSurface Mount
पैकेज / मामला8-PowerTDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज8-DFN (5x6)
विकल्प खरीदना

स्टॉक की अवस्था: 7500

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ

माल ढुलाई गणना

FedEx द्वारा यूएस $40।

3-5 दिनों में पहुंचें

एक्सप्रेस: ​​(FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा

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