SSM6N35FE,LM

निर्माता भाग संख्या:	SSM6N35FE,LM
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण का हिस्सा:	MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
डाटा शीट:	SSM6N35FE,LM डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	180mA
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	3Ohm @ 50mA, 4V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	-
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	9.5pF @ 3V
शक्ति - मैक्स	150mW
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	SOT-563, SOT-666
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	ES6 (1.6x1.6)

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