BSM250D17P2E004

निर्माता भाग संख्या:	BSM250D17P2E004
उत्पादक:	ROHM Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
डाटा शीट:	BSM250D17P2E004 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Box
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Half Bridge)
फ़ीचर फ़ीचर	Silicon Carbide (SiC)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1700V (1.7kV)
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	250A (Tc)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	4V @ 66mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	-
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	30000pF @ 10V
शक्ति - मैक्स	1800W (Tc)
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
पैकेज / मामला	Module
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	Module

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लोकप्रिय मॉडल

	BSM250D17P2E004 ROHM Semiconductor

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