IRF8915

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	HEXFET®
पैकेज	Tube
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	8.9A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	18.3mOhm @ 8.9A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	7.4nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	540pF @ 10V
शक्ति - मैक्स	2W
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-SO

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