TPS1120DR

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 P-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	15V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	1.17A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	180mOhm @ 1.5A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	5.45nC @ 10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	-
शक्ति - मैक्स	840mW
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-SOIC

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न्यूनतम: 1

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लोकप्रिय मॉडल

	TPS1120D Texas Instruments
	TPS1120DR Texas Instruments

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