NVMFD5485NLWFT1G

निर्माता भाग संख्या:	NVMFD5485NLWFT1G
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
डाटा शीट:	NVMFD5485NLWFT1G डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	Automotive, AEC-Q101
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Standard
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	60V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	5.3A (Ta), 19.5A (Tc)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	44mOhm @ 15A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	20nC @ 10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	560pF @ 25V
शक्ति - मैक्स	2.9W (Ta), 38.5W (Tc)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-PowerTDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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