SI1025X-T1-GE3

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	TrenchFET®
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 P-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	60V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	190mA
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	4Ohm @ 500mA, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	1.7nC @ 15V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	23pF @ 25V
शक्ति - मैक्स	250mW
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	SOT-563, SOT-666
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	SC-89-6

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मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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