US6J11TR

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 P-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	12V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	1.3A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	260mOhm @ 1.3A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	290pF @ 6V
शक्ति - मैक्स	320mW
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	6-SMD, Flat Leads
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	TUMT6

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लोकप्रिय मॉडल

	US6J2TR ROHM Semiconductor
	US6J11TR ROHM Semiconductor

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