EPC2105

निर्माता भाग संख्या:	EPC2105
उत्पादक:	EPC
विवरण का हिस्सा:	GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
डाटा शीट:	EPC2105 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	eGaN®
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Half Bridge)
फ़ीचर फ़ीचर	GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	80V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	9.5A, 38A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
शक्ति - मैक्स	-
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	Die
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	Die

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न्यूनतम: 1

मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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