NTMFD6H852NLT1G

निर्माता भाग संख्या:	NTMFD6H852NLT1G
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	MOSFET N-CH 80V 8DFN
डाटा शीट:	NTMFD6H852NLT1G डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	-
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	80V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	295mA
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	1.6Ohm @ 500mA, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	5nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	26pF @ 20V
शक्ति - मैक्स	250mW (Ta)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-PowerTDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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