FDMJ1028N

निर्माता भाग संख्या:	FDMJ1028N
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण का हिस्सा:	MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET
डाटा शीट:	FDMJ1028N डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	PowerTrench®
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	3.2A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	90mOhm @ 3.2A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	3nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	200pF @ 10V
शक्ति - मैक्स	800mW
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	6-WFDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	6-MicroFET (2x2)

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लोकप्रिय मॉडल

	FDMJ1023PZ Rochester Electronics
	FDMJ1032C Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDMJ1028N Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

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