FDC6322C

निर्माता भाग संख्या:	FDC6322C
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
डाटा शीट:	FDC6322C डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	N and P-Channel
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	25V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	220mA, 460mA
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	4Ohm @ 400mA, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	9.5pF @ 10V
शक्ति - मैक्स	700mW
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	SuperSOT™-6

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