Roving Networks / Microchip Technology / DN2625DK6-G
छवि संदर्भ के लिए है, कृपया वास्तविक चित्र प्राप्त करने के लिए हमसे संपर्क करें
DN2625DK6-G
| निर्माता भाग संख्या: | DN2625DK6-G |
| उत्पादक: | Roving Networks / Microchip Technology |
| विवरण का हिस्सा: | MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN |
| डाटा शीट: | DN2625DK6-G डाटा शीट |
| लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: | लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी |
| स्टॉक की स्थिति: | स्टॉक में |
| भेजने का स्थान: | Hong Kong |
| शिपमेंट रास्ता: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- टिप्पणी
- एक्टिव-सेमी DN2625DK6-G chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।
सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।
विनिर्देश
| प्रकार | विवरण |
|---|---|
| श्रृंखला | - |
| पैकेज | Tray |
| भाग की स्थिति | Active |
| FET प्रकार | 2 N-Channel (Dual) |
| फ़ीचर फ़ीचर | Depletion Mode |
| स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली | 250V |
| वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 1.1A |
| आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 3.5Ohm @ 1A, 0V |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी | - |
| गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs | 7.04nC @ 1.5V |
| इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| शक्ति - मैक्स | - |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
| पैकेज / मामला | 8-VDFN Exposed Pad |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | 8-DFN (5x5) |
स्टॉक की अवस्था: उसी दिन शिपिंग
न्यूनतम: 1
| मात्रा | यूनिट मूल्य | एक्सटेंशन कीमत |
|---|---|---|
कीमत उपलब्ध नहीं है, कृपया RFQ |
||
माल ढुलाई गणना
FedEx द्वारा यूएस $40।
3-5 दिनों में पहुंचें
एक्सप्रेस: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) 150 डॉलर से अधिक के ऑर्डर के लिए पहले 0.5 किग्रा पर मुफ्त शिपिंग, अधिक वजन के लिए अलग से शुल्क लिया जाएगा
लोकप्रिय मॉडल
 |
Roving Networks / Microchip Technology |
कार्ट में जोड़ा गया!
यह आइटम आपके कार्ट में जोड़ा गया है।