CAB425M12XM3

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	CAB425M12XM3
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Half Bridge)
फ़ीचर फ़ीचर	Silicon Carbide (SiC)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	1200V (1.2kV)
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	450A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	4.2mOhm @ 425A, 15V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	3.6V @ 115mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	1135nC @ 15V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	30.7nF @ 800V
शक्ति - मैक्स	50mW
परिचालन तापमान	-40°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Chassis Mount
पैकेज / मामला	Module
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	-

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मात्रा	यूनिट मूल्य	एक्सटेंशन कीमत
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