FDR8508P

निर्माता भाग संख्या:	FDR8508P
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
डाटा शीट:	FDR8508P डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	PowerTrench®
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	2 P-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	3A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	52mOhm @ 3A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	12nC @ 5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	750pF @ 15V
शक्ति - मैक्स	800mW
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	SuperSOT™-8

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