SIZ998DT-T1-GE3

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	TrenchFET®
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual), Schottky
फ़ीचर फ़ीचर	Standard
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	20A (Tc), 60A (Tc)
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
शक्ति - मैक्स	20.2W, 32.9W
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-PowerWDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-PowerPair®

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