EPC2108

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	eGaN®
पैकेज	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थिति	Active
FET प्रकार	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
फ़ीचर फ़ीचर	GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	60V, 100V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	1.7A, 500mA
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	22pF @ 30V, 7pF @ 30V
शक्ति - मैक्स	-
परिचालन तापमान	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	9-VFBGA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	9-BGA (1.35x1.35)

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