TT8M2TR

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	-
पैकेज	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति	Not For New Designs
FET प्रकार	N and P-Channel
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	30V, 20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	2.5A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	90mOhm @ 2.5A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	3.2nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	180pF @ 10V
शक्ति - मैक्स	1.25W
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-SMD, Flat Lead
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	8-TSST

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