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Vishay / Siliconix / SI3900DV-T1-E3

SI3900DV-T1-E3

निर्माता भाग संख्या: SI3900DV-T1-E3
उत्पादक: Vishay / Siliconix
विवरण का हिस्सा: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
डाटा शीट: SI3900DV-T1-E3 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति: स्टॉक में
भेजने का स्थान: Hong Kong
शिपमेंट रास्ता: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
टिप्पणी
एक्टिव-सेमी SI3900DV-T1-E3 chipnets.com पर उपलब्ध है। हम केवल नए और मूल भाग की बिक्री करते हैं और 1 वर्ष की वारंटी समय प्रदान करते हैं। यदि आप उत्पादों के बारे में अधिक जानना चाहते हैं या अधिक बेहतर मूल्य लागू करना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करें ऑनलाइन चैट पर क्लिक करें या हमें एक उद्धरण भेजें।
सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश
प्रकार विवरण
श्रृंखलाTrenchFET®
पैकेजTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
भाग की स्थितिActive
FET प्रकार2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचरLogic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस2A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस125mOhm @ 2.4A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs4nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds-
शक्ति - मैक्स830mW
परिचालन तापमान-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकारSurface Mount
पैकेज / मामलाSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज6-TSOP
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स्टॉक की अवस्था: 52428

न्यूनतम: 1

मात्रा यूनिट मूल्य एक्सटेंशन कीमत

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