FDM2509NZ

निर्माता भाग संख्या:	FDM2509NZ
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
डाटा शीट:	FDM2509NZ डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	PowerTrench®
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	8.7A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	18mOhm @ 8.7A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	17nC @ 4.5V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	1200pF @ 10V
शक्ति - मैक्स	800mW
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	6-WFDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	6-MicroFET (2x5)

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न्यूनतम: 1

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