IPG15N06S3L-45

निर्माता भाग संख्या:	IPG15N06S3L-45
उत्पादक:	Rochester Electronics
विवरण का हिस्सा:	OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
डाटा शीट:	IPG15N06S3L-45 डाटा शीट
लीड मुक्त स्थिति / RoHS स्थिति:	लीड फ्री / RoHS आज्ञाकारी
स्टॉक की स्थिति:	स्टॉक में
भेजने का स्थान:	Hong Kong
शिपमेंट रास्ता:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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सभी Eelctronics घटकों को ESD एंटीस्टेटिक सुरक्षा द्वारा बहुत सुरक्षित रूप से पैक किया जाएगा।

package

विनिर्देश

प्रकार	विवरण
श्रृंखला	OptiMOS™
पैकेज	Bulk
भाग की स्थिति	Obsolete
FET प्रकार	2 N-Channel (Dual)
फ़ीचर फ़ीचर	Logic Level Gate
स्रोत वोल्टेज (Vds) के लिए नाली	55V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	15A
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	45mOhm @ 10A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी	2.2V @ 10µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	20nC @ 10V
इनपुट क्षमता (Ciss) (अधिकतम) @ Vds	1420pF @ 25V
शक्ति - मैक्स	21W
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
पैकेज / मामला	8-PowerVDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	PG-TDSON-8-4

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